當今，電子係統的（de）時鍾頻率為（wéi）幾百兆赫，所用脈衝的前後沿（yán）在亞納秒範（fàn）圍，高（gāo）質量視頻電路也用以亞納秒級的象（xiàng）素速（sù）率。這些較高的處理速度表示了工程上受到不斷的（de）挑戰。那麽如何預防和解決連接器電磁幹擾的（de）問題值得我們關注。

        電路上（shàng）振蕩速率變得更快(上升/下降（jiàng）時間（jiān）)，電壓/電流幅度變得更大，問題變得更多。因此，今天同以前相比，解（jiě）決電磁兼容性（xìng）(EMC)就更艱難了。

        在電路的兩個波節之前，快速變化的脈衝（chōng）電流（liú），表示了（le）所謂差模噪聲源，電路周圍的電磁場可以耦（ǒu）合到其它元件（jiàn）上和侵入連接部分（fèn）。經感性或容性耦合的噪聲是共模幹擾。射頻幹擾電（diàn）流是彼此相同的，係統可以建模為（wéi）：由（yóu）噪聲源、“受害電路”或“接受者”和回路(通常是底板)組成。用幾個（gè）因素來描述幹擾的大小：噪聲源的強（qiáng）度、幹擾電流環繞麵積的大小（xiǎo）、變（biàn）化（huà）速率。

噪聲（shēng）的耦合和傳（chuán）播

        共模噪聲是由於不合理的（de）設（shè）計產生的。有些典（diǎn）型的原（yuán）因是不同線（xiàn）對中個（gè）別導線（xiàn）的長度（dù）不同，或到電源平麵或機殼的距離不同。另一（yī）個原因是（shì）元件的缺陷，如磁感應線圈與變壓器，電容器與（yǔ）有源器件(例如應用特殊的集成電路(ASIC))。

        磁性元件，特別是所（suǒ）謂“鐵芯扼流圈（quān）”型貯能電感器，是用在電源變（biàn）換器（qì）之（zhī）中的，總是產（chǎn）生電磁場。磁路中的氣隙相（xiàng）當於串聯電路中的（de）一個大電阻，那兒要（yào）消耗（hào）較多的電能（néng）。

        於是，鐵芯扼（è）流（liú）圈，繞製在鐵氧體棒（bàng）上，在棒周圍產生強的電磁場，在電極（jí）附近有最強的場強。在使（shǐ）用回描結（jié）構（gòu）的開關電源中，變壓器上必定有一個空隙， 其間有很強的磁（cí）場。在其中保持磁場最合適的（de）元件是螺旋管，使電磁（cí）場（chǎng）沿管芯長度方向分布。這就是在高頻工作的磁性元件（jiàn）優選螺旋（xuán）結構的原因之一。

        不恰（qià）當的去耦電路通常也變成幹擾源。如果電路要求大的脈衝電流，以及局部去耦時不能保證小電（diàn）容（róng）或十分高的內阻需要，則（zé）由電源回（huí）路產（chǎn）生的電壓（yā）就下降。這相當於紋波，或（huò）者相當於終端間的電壓快速變化。由於封裝的雜散電容，幹擾能耦合到（dào）其它電路中去，引（yǐn）起共模問題。

        當（dāng）共模電流汙染I/O接（jiē）口電路時，該（gāi）問題必須解決在通過連接器之（zhī）前。不同的應（yīng）用，建議用不同的方法來解決（jué）這個問題。在視頻（pín）電路中（zhōng），那兒I/O信號是單端的，且公用同一共同回路，要解決它，用（yòng）小型LC濾波器濾掉噪聲。

        在低頻串（chuàn）聯接（jiē）口網（wǎng）絡中，有（yǒu）些（xiē）雜散電容就足夠將噪聲分流到底板上。差分驅動的接口，如以太，通常是通過變壓器耦（ǒu）合到I/O區域，是在（zài）變壓（yā）器（qì）一側（cè）或兩側的中心抽頭提供耦合（hé）的。這些中（zhōng）心抽頭（tóu）經高壓電容器與底（dǐ）板相連，將共（gòng）模噪聲（shēng）分流到底板上，以使信號不（bú）發生失真。

在I/O區域內的共模噪聲

        沒有一個通用辦法來解決所有類型的I/O接口的問題。設計師們的主要目標是將電路設計好，而常常忽略了一些視為簡單的細節。一些基本法則能使噪（zào）聲在到達連接器以前，降（jiàng）至最小：

        )將去耦電容設置在緊挨負載處。

        2)快速變化的前後沿的脈衝電流，其環路尺寸應最小。

        3)使大電流器件(即驅動器（qì）和ASIC)遠離I/O端口。

        4)測定信號（hào）的完整性，以保證過衝和下衝最（zuì）小，特別是對於大電流的關鍵性信號(如時鍾，總線)。

        5)使用局部濾（lǜ）波，如RF鐵氧（yǎng）體，可吸收RF幹擾。

        6)提供低阻抗搭（dā）接到底板上或在I/O區域的基準（zhǔn）在底板上。射頻（pín）噪聲和連接器

        即使工程師采取許多上述所列（liè）的（de）預防措施，來減小（xiǎo）在I/O區內的RF噪聲，還不能保證這些（xiē）預（yù）防措施能否成功地足夠滿足（zú）發射要求。有些（xiē）噪（zào）聲是（shì）傳（chuán）導幹擾，即在內部電路板上按共模（mó）電流流動。這個幹擾源（yuán）是（shì）在底（dǐ）板和電路等之間（jiān）。

        於是（shì），這個RF電流一定通過最低阻抗(在底板和載信號線之間（jiān）)的（de）通路流動。如果連接（jiē）器沒呈現足夠低的（de）阻抗(與底板的搭接處)，這RF電流經雜散電容流（liú）動（dòng）。當這RF電流流過電纜時，不可避免地產生發射。

        使共模電流注入到I/O區的另（lìng）一（yī）機理，是附近有強的幹擾源的耦合（hé）。甚（shèn）至（zhì）有些（xiē）“屏（píng）蔽”連接器也（yě）無用，因為幹擾源就在連接器附近（jìn），如PC機環境。如果在連接器和底板之間有一個缺口，此處所感應的RF電壓可以使（shǐ）EMC性能下降。

        屏蔽連接器方法有，加指形簧片或墊片。連接器的搭接，是在連接器和機殼之間填滿空處。這個方法要求有一個（gè）襯（chèn）墊。金屬襯墊較好，隻要處（chù）理合適，也就是說，隻要表麵不被汙染（rǎn），隻要（yào）手不觸及或損壞襯墊以及隻要有足（zú）夠（gòu）的壓力，以保持好的、低（dī）阻抗的接觸（chù）。

        別的（de）方法是連接（jiē）器裝接頭片或者把連接器安裝在機殼上。此時，最大接觸麵稍微小些，且應嚴格控製接頭（tóu）片的尺寸和彈性。安裝屏（píng）蔽連（lián）接器時，在（zài）機殼上開口，開口的一側要去掉油汙，要仔細製作，若公差不合適，導致連接器在機殼內陷入太深（shēn），使搭接中斷。每位EMC工程師知道，在“極好（hǎo）”的（de）係統（tǒng）當中，這個問（wèn）題一定要滿足發射要求，並（bìng）在生產線及時檢查。未緊固的或彎曲的襯墊，安裝於（yú）關鍵區域的油汙上，將失效。

由於下述原因選用了EMI連接器

        1)導電發（fā）泡（pào）塑（sù）料是（shì）極其柔軟（ruǎn）的，且（qiě）能放在連接器的整（zhěng）個周圍。這就消除了與另一（yī）機殼、襯墊有關的問題。

        2)機械工程師可以在（zài）係統機殼可接收的公差範圍內安裝連接器。

        3)連接器與機殼實現低阻抗搭接，以保證（zhèng）良好接（jiē）觸（chù）。機殼壁內側上的襯墊，當要塗漆有（yǒu）遮蔽要求時，可以（yǐ）用更柔軟的材料。

        4)要求強迫冷卻的設計，襯墊最好有另一特點：連接器和（hé）機殼壁之間的縫應密封起來，以減少氣漏。在有塵埃的環境中，襯墊要起到係統內保持幹淨。